6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P9040NR1 MRF8P9040GNR1 MRF8P9040NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
820
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout
= 4.0 Watts Avg.
-- 1 2
0
-- 3
-- 6
-- 9
15
20
19.5
19
-- 5 2
22
20
18
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
16
-- 4 7
-- 4 8
-- 4 9
-- 5 0
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
840 860 880 900 920 940 960 980
14
-- 5 1
-- 1 5
PARC
PARC (dB)
-- 0 . 3
0.1
0
-- 0 . 1
-- 0 . 2
-- 0 . 4
ACPR (dBc)
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
1 10010
-- 7 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 6 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 5 0
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD
=28Vdc,Pout
= 45 W (PEP)
IDQ
= 320 mA, Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 940 MHz
Figure 6. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
8
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT 0.01%
PROBABILITY ON CCDF (dB)
0
16 24 4032
0
60
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
-- 3 d B = 2 0 W
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
ηD
ACPR
PARC
ACPR (dBc)
-- 6 0
0
-- 1 0
-- 2 0
-- 4 0
-- 3 0
-- 5 0
21
G
ps
, POWER GAIN (dB)
20
19
18
17
16
15
Gps
VDD=28Vdc,Pout
=4.0W(Avg.),IDQ
= 320 mA
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF
-- 2 d B = 1 4 W
-- 1 d B = 11 W
VDD
=28Vdc,IDQ
= 320 mA, f = 940 MHz
Single--Carrier W--CDMA
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF8P9300HSR6
FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS
MRF8S18120HR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780
MRF8S18260HSR6
MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8
MRF8S19140HSR3
FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS
MRF8S19260HSR6
FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8
MRF8S21120HSR3
FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS
MRF8S21140HSR3
FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S
MRF8S21200HSR6
MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS
相关代理商/技术参数
MRF8P9040NBR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9040NR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9210NR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9300HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9300HR6
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9300HR6_10
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF8P9300HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8P9300HSR6
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray